盛美上海申請濕法工藝中的噴嘴控製方法專利，使晶圓的清洗或刻蝕效果具有良好的均一性

盛美半導體設備(上海)股份有限公司申請一項名為“濕法工藝中的盛美上海申请湿法使晶蚀效噴嘴控製方法、該方法包括
：設置噴嘴的工艺果具移動路徑，裝置和計算機可讀介質  。中的专利

金融界消息 ，喷嘴

控制

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控制 裝置和計算機可讀介質“
，圆的有良並在每個所述特征位置根據對應的清洗所述工作參數工作
。其中，或刻好公開號CN117276113A ，均性所述噴嘴在相鄰的盛美上海申请湿法使晶蚀效特征位置之間采用勻變速方式移動；以及根據所述控製菜單控製所述噴嘴沿著所述移動路徑移動，所述移動路徑包括多個特征位置；構建控製菜單 ，工艺果具申請日期為2022年6月。中的专利據國家知識產權局公告，喷嘴所述工作參數包括噴嘴移動速度和噴液流量 ，控制

專利摘要顯示，圆的有良所述控製菜單中包括所述噴嘴在每個所述特征位置的工作參數 ，采用本發明的方法和裝置可以使晶圓的清洗或刻蝕效果具有良好的均一性
。本發明涉及一種濕法工藝中的噴嘴控製方法、